微流控芯片溫度控制主要運用在芯片行業(yè)中，那么，對于微流控芯片溫度控制中的一些專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)，我們需要了解清楚，才能更有效的運行微流控芯片溫度控制裝置。

　　微流控芯片溫度控制中CP是把壞的Die挑出來(lái)，可以減少封裝和測試的成本?？梢愿苯拥闹?/span>Wafer 的良率。FT是把壞的chip挑出來(lái)；檢驗封裝的良率?，F在對于一般的wafer工藝，很多公司多把CP給省了；減少成本。CP對整片Wafer的每個(gè)Die來(lái)測試

　　而FT則對封裝好的Chip來(lái)測試。CP Pass 才會(huì )去封裝。然后FT，確保封裝后也Pass。WAT是Wafer AcceptanceTest，對專(zhuān)門(mén)的測試圖形（test key）的測試，通過(guò)電參數來(lái)監控各步工藝是否正常和穩定。

　　微流控芯片溫度控制CP是wafer level的chip probing，是整個(gè)wafer工藝，包括backgrinding和backmetal（if need），對一些基本器件參數的測試，如vt（閾值電壓），Rdson（導通電阻），BVdss（源漏擊穿電壓），Igss（柵源漏電流），Idss（漏源漏電流）等，一般測試機臺的電壓和功率不會(huì )很高。

　　微流控芯片溫度控制FT是packaged chip level的Final Test，主要是對于這個(gè)（CPpassed）IC或Device芯片應用方面的測試，有些甚至是待機測試；CP 測試對Memory來(lái)說(shuō)還有一個(gè)非常重要的作用，那就是通過(guò)MRA計算出chip level 的Repair address，通過(guò)Laser Repair將CP測試中的Repairable die 修補回來(lái)，這樣保證了yield和reliability兩方面的提升。

　　對于微流控芯片溫度控制測試項來(lái)說(shuō)，有些測試項在CP時(shí)會(huì )進(jìn)行測試，在FT時(shí)就不用再次進(jìn)行測試了，節省了FT測試時(shí)間；但是有些測試項必須在FT時(shí)才進(jìn)行測試（不同的設計公司會(huì )有不同的要求）一般來(lái)說(shuō)，CP測試的項目比較多，比較全；FT測的項目比較少，但都是關(guān)鍵項目，條件嚴格。但也有很多公司只做FT不做CP（如果FT和封裝yield高的話(huà)，CP就失去意義了）。在測試方面，CP比較難的是探針卡的制作，并行測試的干擾問(wèn)題。FT相對來(lái)說(shuō)簡(jiǎn)單一點(diǎn)。還有一點(diǎn)，memory測試的CP會(huì )更難，因為要做redundancy analysis，寫(xiě)程序很麻煩。CP在整個(gè)制程中算是半成品測試，目的有2個(gè)，1個(gè)是監控前道工藝良率，另一個(gè)是降低后道成本（避免封裝過(guò)多的壞芯片），其能夠測試的項比FT要少些。簡(jiǎn)單的一個(gè)例子，碰到大電流測試項CP肯定是不測的（探針容許的電流有限），這項只能在封裝后的FT測。不過(guò)許多項CP測試后FT的時(shí)候就可以免掉不測了（可以提率），所以有時(shí)會(huì )覺(jué)得FT的測試項比CP少很多。

　　微流控芯片溫度控制中的專(zhuān)業(yè)術(shù)語(yǔ)可能大多數人都不是很懂，但還是建議用戶(hù)多多了解相關(guān)專(zhuān)業(yè)知識更好的運行微流控芯片溫度控制。(本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò )，如有侵權請聯(lián)系刪除，謝謝)