芯片在封裝完畢后，可能存在潛在缺陷，這些會(huì )導致芯片性能不穩定或者功能上存在潛在缺陷，如果這些存在潛在缺陷的芯片被用在關(guān)鍵設備上，有可能發(fā)生故障，造成用戶(hù)損失或者危險。而老化試驗的目的就是在一定時(shí)間內，把芯片置于一定的溫度下，再施于特定的電壓，加速芯片老化，使芯片可靠性提前度過(guò)早期失效期，直接到達偶然失效期（故障偶發(fā)期），保證了交到顧客手中的芯片工作性能的穩定性和可靠性。

　　芯片測試不僅僅是“挑剔"“嚴苛"就可以，還需要全流程的控制與參與。從芯片設計、芯片開(kāi)啟驗證、芯片流片到進(jìn)入量產(chǎn)階段測試，每個(gè)階段都需要解決相應的訴求，解決如何持續的優(yōu)化流程，提升程序效率，縮減時(shí)間，降低成本等問(wèn)題。量產(chǎn)階段測試尤為重要，所以說(shuō)芯片測試不僅僅是成本的問(wèn)題，而是平衡質(zhì)量、效率的與成本的關(guān)鍵，當然除了芯片的老化試驗，其他的可靠性測試也十分重要。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測試系統應用于芯片的失效分析、特性分析，可以進(jìn)行帶夾具的測試，為芯片測試提供更廣泛的溫度范圍，提供了溫度轉換測試能力。高低溫沖擊測試系統同時(shí)能應用于高低溫溫變測試、溫度沖擊測試等可靠性試驗，經(jīng)長(cháng)期的多工況驗證，滿(mǎn)足各類(lèi)生產(chǎn)環(huán)境和工程環(huán)境的要求。

　　冠亞制冷高低溫沖擊測試系統主要用于半導體測試中的溫度測試模擬，具有寬的溫度方向和高溫升降，溫度范圍-92℃~250℃，適用于各種測試要求。適用于電子元件的準確溫度控制。在用于惡劣環(huán)境的半導體電子組件制造中，IC封裝組裝、工程和生產(chǎn)測試階段包括電子熱測試和其他溫度（-45℃至+250℃）下的環(huán)境測試模擬。