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    芯片測試系統解析為什么要進(jìn)行芯片測試

     更新時(shí)間:2019-04-09 點(diǎn)擊量:1109

      用戶(hù)在進(jìn)行芯片測試系統運行的時(shí)候,需要對于芯片測試了解清楚,為此,無(wú)錫冠亞分析了相關(guān)芯片測試的相關(guān)知識,為大家提供更詳細的知識。

    芯片測試系統

      功能不合格是指某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒(méi)有實(shí)現,這往往是設計上導致的,通常是在設計階段前仿真來(lái)對功能進(jìn)行驗證來(lái)保證,所以通常設計一塊芯片,仿真驗證會(huì )占用大約80%的時(shí)間。性能不合格,某個(gè)性能指標要求沒(méi)有過(guò)關(guān),比如2Gcpu只能跑到1.5G,數模轉換器在要求的轉換速度和帶寬的條件下有效位數enob要達到12位,卻只有10位,以及lnanoise figure指標不達標等等。這種問(wèn)題通常是由兩方面的問(wèn)題導致的,一個(gè)是前期在設計系統時(shí)就沒(méi)做足余量,一個(gè)就是物理實(shí)現版圖太爛。這類(lèi)問(wèn)題通常是用后仿真來(lái)進(jìn)行驗證的。生產(chǎn)導致的不合格。這個(gè)問(wèn)題出現的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過(guò)半導體物理的都知道單晶硅是規整的面心立方結構,它有好幾個(gè)晶向,通常我們生長(cháng)單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長(cháng)。但是由于各種外界因素,比如溫度,提拉速度,以及量子力學(xué)的各種隨機性,導致生長(cháng)過(guò)程中會(huì )出現錯位,這個(gè)就稱(chēng)為缺陷。

      芯片缺陷產(chǎn)生還有一個(gè)原因就是離子注入導致的,即使退火也未能校正過(guò)來(lái)的非規整結構。這些存在于半導體中的問(wèn)題,會(huì )導致器件的失效,進(jìn)而影響整個(gè)芯片。所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片,就會(huì )在設計時(shí)加入專(zhuān)門(mén)的測試電路,比如模擬里面的測試,數字里面的測邏輯,測存儲,來(lái)保證交付到客戶(hù)手上的都是ok的芯片。而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄,要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣(mài)出。

      在運行芯片測試系統的時(shí)候,如果發(fā)現芯片測試系統中芯片不合格的話(huà)就需要及時(shí)剔除,不斷提高芯片的運行效率。(本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò ),如有侵權,請聯(lián)系無(wú)錫冠亞進(jìn)行刪除,謝謝。)