用戶(hù)在進(jìn)行芯片測試系統運行的時(shí)候，需要對于芯片測試了解清楚，為此，無(wú)錫冠亞分析了相關(guān)芯片測試的相關(guān)知識，為大家提供更詳細的知識。

　　功能不合格是指某個(gè)功能點(diǎn)點(diǎn)沒(méi)有實(shí)現，這往往是設計上導致的，通常是在設計階段前仿真來(lái)對功能進(jìn)行驗證來(lái)保證，所以通常設計一塊芯片，仿真驗證會(huì )占用大約80%的時(shí)間。性能不合格，某個(gè)性能指標要求沒(méi)有過(guò)關(guān)，比如2G的cpu只能跑到1.5G，數模轉換器在要求的轉換速度和帶寬的條件下有效位數enob要達到12位，卻只有10位，以及lna的noise figure指標不達標等等。這種問(wèn)題通常是由兩方面的問(wèn)題導致的，一個(gè)是前期在設計系統時(shí)就沒(méi)做足余量，一個(gè)就是物理實(shí)現版圖太爛。這類(lèi)問(wèn)題通常是用后仿真來(lái)進(jìn)行驗證的。生產(chǎn)導致的不合格。這個(gè)問(wèn)題出現的原因就要提到單晶硅的生產(chǎn)了。學(xué)過(guò)半導體物理的都知道單晶硅是規整的面心立方結構，它有好幾個(gè)晶向，通常我們生長(cháng)單晶是是按照111晶向進(jìn)行提拉生長(cháng)。但是由于各種外界因素，比如溫度，提拉速度，以及量子力學(xué)的各種隨機性，導致生長(cháng)過(guò)程中會(huì )出現錯位，這個(gè)就稱(chēng)為缺陷。

　　芯片缺陷產(chǎn)生還有一個(gè)原因就是離子注入導致的，即使退火也未能校正過(guò)來(lái)的非規整結構。這些存在于半導體中的問(wèn)題，會(huì )導致器件的失效，進(jìn)而影響整個(gè)芯片。所以為了在生產(chǎn)后能夠揪出失效或者半失效的芯片，就會(huì )在設計時(shí)加入專(zhuān)門(mén)的測試電路，比如模擬里面的測試，數字里面的測邏輯，測存儲，來(lái)保證交付到客戶(hù)手上的都是ok的芯片。而那些失效或半失效的產(chǎn)品要么廢棄，要么進(jìn)行閹割后以低端產(chǎn)品賣(mài)出。

　　在運行芯片測試系統的時(shí)候，如果發(fā)現芯片測試系統中芯片不合格的話(huà)就需要及時(shí)剔除，不斷提高芯片的運行效率。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò )，如有侵權，請聯(lián)系無(wú)錫冠亞進(jìn)行刪除，謝謝。）