隨著(zhù)元器件測試市場(chǎng)的需求，熱循環(huán)測試儀的推動(dòng)也在不斷進(jìn)步，無(wú)錫冠亞熱循環(huán)測試儀的性能也在不斷的進(jìn)步，那么，對于熱循環(huán)測試儀，以前不太關(guān)注的話(huà)，現在也必須考慮好。

　　熱循環(huán)測試儀電性?xún)?yōu)化的目的，本質(zhì)上來(lái)說(shuō)就是提升傳輸效率，減少傳輸損耗。過(guò)去我們優(yōu)化設計主要著(zhù)眼于系統和PCB這個(gè)別，很少觸及到封裝和芯片。這個(gè)別的仿真優(yōu)化，主要集中在器件引腳、過(guò)孔、接插件等結構不連續的地方。熱循環(huán)測試儀中芯片封裝是芯片到PCB的過(guò)渡，這里的信號傳輸路徑處處存在著(zhù)不連續，優(yōu)化這些結構上的不連續點(diǎn)，使其保持電性上的連續，減少信號的反射，就是封裝SI優(yōu)化的目的。

　　熱循環(huán)測試儀的優(yōu)化，主要涉及到信號和回流地的布置，金線(xiàn)的長(cháng)度、直徑、線(xiàn)型、線(xiàn)數等。這里只對其他幾個(gè)參數再做討論。熱循環(huán)測試儀從芯片鍵合到載板，端口1設在芯片端，CPW結構，阻抗50Ohm，端口2設在載板端，GCPW結構，阻抗50Ohm，分別調整線(xiàn)徑，線(xiàn)型、線(xiàn)數三個(gè)因子，仿真頻率掃描0～40Ghz，后處理對比S21和S11參數。

　　熱循環(huán)測試儀金線(xiàn)直徑越大，傳輸特性越好，鍵合線(xiàn)弧度越低，傳輸特性越好，雙線(xiàn)鍵合，傳輸特性?xún)?yōu)于單線(xiàn)鍵合。對于高頻應用，僅僅通過(guò)調整以上參數來(lái)優(yōu)化傳輸特性，依然滿(mǎn)足不了應用，鍵合線(xiàn)匹配就派上了用場(chǎng)。由于整個(gè)鍵合結構在一定頻率范圍內可以等效為電感，這樣我們就可根據射頻理論進(jìn)行阻抗匹配。對比鍵合線(xiàn)匹配前后的傳輸特性，可以看出匹配在感興趣的頻段內，大大的優(yōu)化了傳輸特性。

　　對于熱循環(huán)測試儀的性能，討論了其相關(guān)使用以及配置之后，對于熱循環(huán)測試儀相關(guān)特點(diǎn)了解之后再進(jìn)行使用比較好。（本文來(lái)源網(wǎng)絡(luò )，如有侵權，請聯(lián)系刪除，謝謝。）